FMS verleiht Kioxia Lifetime Achievement Award
Kioxia erhält für seine Pionierarbeit bei der Entwicklung und Vermarktung von 3D-Flashspeichern den FMS: the Future of Memory and Storage Lifetime Achievement Award 2024. Die Technologie ist für eine Vielzahl privater und industrieller Anwendungen wie moderne Smartphones, PCs, SSDs und Rechenzentren von grundlegender Bedeutung. Auch im Kontext künstlicher Intelligenz spielt die leistungsstarke Flashspeichertechnologie eine zentrale Rolle. Das Entwicklerteam von Kioxia, zu dem Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido und Hiroyasu Tanaka gehören, wird die prestigeträchtige Auszeichnung auf der FMS-Konferenz entgegennehmen, die vom 6. bis 8. August in Santa Clara stattfindet.
Erstmals hatte Kioxia das Konzept des 3D-Flashspeichers «BiCS Flash» auf dem VLSI Symposium 2007 vorgestellt, wie es in einer Medienmitteilung von Kioxia heisst. Im Anschluss der Konferenz setzte das Unternehmen die Entwicklung des Prototyps fort, um die Technologie für die Massenproduktion zu optimieren. Im Jahr 2015 brachte Kioxia schliesslich den weltweit ersten 3D-Flashspeicher mit 256 Gigabit (Gb) und 48 Layern auf den Markt.
«Kioxia hat mit seiner Innovationskraft in Sachen 3D-Flashspeicher den gesamten Bereich der Datenspeicherung revolutioniert. Die Experten des Unternehmens haben die Technologie nicht nur weiterentwickelt, sondern zu einer fortschrittlichen Lösung transformiert, die den höchsten Ansprüchen moderner Computertechnologie gerecht wird», lässt sich Chuck Sobey, General Chair der FMS, zitieren. «Wir freuen uns, diesen wichtigen Beitrag vorstellen zu können und sind gespannt, was die Zukunft bringt.»
Mit seiner 3D-Stacking-Struktur, die sowohl die Kapazität als auch die Leistung steigert, hat der 3D-Flashspeicher «BiCS Flash» die Speicherindustrie grundlegend verändert, heisst es weiter. Dank dieser Technologie konnten Speicherlösungen mit höherer Dichte bei gleichbleibender Zuverlässigkeit und Effizienz entwickelt werden. Das eröffnet nicht nur neue Möglichkeiten im Hinblick auf Rechenzentren, Unterhaltungselektronik und mobile Geräte, sondern setzt auch einen neuen Standard für Flashspeicher. «BiCS Flash» nutzt das vertikale Stacking, wodurch die Beschränkungen von planarem NAND-Flash überwunden werden.
Die 3D-Flashspeicher-Technologie «BiCS Flash» wurde 2020 bereits mit dem «Imperial Invention Prize» der National Commendation for Invention ausgezeichnet, einem staatlichen Programm zur Förderung der Wissenschaft und Technologie in Japan. Sie erhielt überdies 2023 den «Award for Science and Technology» des «Commendation for Science and Technology»-Programms des japanischen Ministeriums für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie sowie 2021 den IEEE Andrew S. Grove Award.